Τεχνολογία ημιαγωγών

• Το πυρίτιο (silicon) (Si)
• Si n (περίσσεια e) με προσθήκη P, As, Sb
• Si p (έλλειμμα e) με προσθήκη B, Al, Ga
• SiO2 (κακός αγωγός)
• Τεχνολογία N-MOS
  
• Βασικά στοιχεία κατασκευής ολoκληρωμένων κυκλωμάτων
  • Ανάπτυξη κρυστάλων Si με τη μέθοδο Czochralski
  • Κοπή δίσκων
  • Κατασκευή με φωτολιθογραφία
    • Διάχυση p
    • Οξείδωση SiO2
    • Επίστρωση πολυπυριτίου
    • Φωτολιθογραφία και απόξεση για εμφάνιση του Si p
    • Διάχυση n
    • Απόθεση SiO2 για μόνωση
    • Φωτολιθογραφία και απόξεση
    • Απόθεση Al για δημιουργία συνδέσεων
    • Φωτολιθογραφία και απόξεση Al
  • Κοπή και συσκευασία

• ΠροηγούμενηΔισταθή κυκλώματα
• Περιεχόμενα
• ΕπόμενηΤεχνολογία μνημών

 Τελευταία αλλαγή: Κυριακή, 27 Οκτωβρίου 1996 4:21 μμ
 Εκτός αν αναφέρεται κάτι διαφορετικό, όλο το πρωτότυπο υλικό της σελίδας αυτής του οποίου δημιουργός είναι ο Διομήδης Σπινέλλης παρέχεται σύμφωνα με τους όρους της άδειας «Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Greece License».